Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ISC0806NLSATMA1
Изображение служит лишь для справки
ISC0806NLSATMA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
- Date Sheet
Lagernummer 6048
- 1+: $1.18823
- 10+: $1.12097
- 100+: $1.05752
- 500+: $0.99766
- 1000+: $0.94119
Zwischensummenbetrag $1.18823
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства:PG-TDSON-8-7
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16A (Ta), 97A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 96W (Tc)
- Основной номер продукта:ISC0806N
- Число элементов на чипе:1
- Формат упаковки:SuperSO8 5 x 6
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:97A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.3 V
- Распад мощности:96 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:20 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:5.4 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:97 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Число контактов:8
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:96W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.4mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.3V @ 61μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3400 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:49 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
Со склада 6048
- 1+: $1.18823
- 10+: $1.12097
- 100+: $1.05752
- 500+: $0.99766
- 1000+: $0.94119
Итого $1.18823