SIS590DN-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIS590DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (7 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
-
COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
Date Sheet

Lagernummer 11

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAK 1212-8 Dual
Режим канала：Enhancement
Квалификация：-
Полярность транзистора：N and P Channel
Прямоходящий ток вывода Id：4A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Время типичного задержки включения：25 ns, 30 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：17.9 W, 23.1 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：9 nC, 22.4 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：186 mOhms, 338 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：45 ns, 60 ns
Id - Непрерывный ток разряда：4 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Reel
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Число контактов：8
Конфигурация：Dual
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
Тип ТРВ：N and P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：-
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：-
Время подъема：90 ns, 100 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel, 1 P-Channel
Канальный тип：N, P
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 11

Итого $0.00000