Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FF6MR12W2M1B70BPSA1
Изображение служит лишь для справки
FF6MR12W2M1B70BPSA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:Module
- Вид крепления:Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства:AG-EASY2B
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:200A (Tj)
- Состояние продукта:Obsolete
- Пакет:Tray
- Mfr:Infineon Technologies
- Формат упаковки:AG-EASY2B
- Рабочая температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Мощность - Макс:20mW (Tc)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Half Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.63mOhm @ 200A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5.55V @ 80mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:14700pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:496nC @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200V (1.2kV)
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
Со склада 0
Итого $0.00000