(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6N813R,LXHF
Изображение служит лишь для справки
SSM6N813R,LXHF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, Flat Leads
- AUTO AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW
Date Sheet
Lagernummer 2695
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Поставщик упаковки устройства：6-TSOP-F
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.5A (Ta)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Время типичного задержки включения：360 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Квалификация：AEC-Q200
- Распад мощности：1.5 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：SSM6N813R,LXHF(B
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Зарядная характеристика ворот：3.6 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：88 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：670 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：3.5 A
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：175°C
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Dual
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：1.5W (Ta)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：112mOhm @ 3.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：242pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 2695
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
