2SAR563F3TR

Name: Rohm Semiconductor 2SAR563F3TR
Brand: Rohm Semiconductor
Price: 1.0582182 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (14 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
3-UDFN Exposed Pad
TRANS PNP 50V 6A HUML2020L3
Date Sheet

Lagernummer 4985

1+： $1.05822
10+： $0.99832
100+： $0.94181
500+： $0.88850
1000+： $0.83821

Zwischensummenbetrag $1.05822

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：3-UDFN Exposed Pad
Поставщик упаковки устройства：HUML2020L3
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：6 A
Квалификация：-
Полярность транзистора：PNP
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Распад мощности：1 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：180 at - 0.5 A, - 3 V
Минимальная температура работы：-
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Параметр частотно-уровневого продукта fT：200 MHz
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
Максимальный постоянный ток сбора：6 A
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：450 at - 0.5 A, - 3 V
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
Серия：-
Рабочая температура：150°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Конфигурация：Single
Распад мощности：2.1W
Мощность - Макс：1 W
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：180 @ 500mA, 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 150mA, 3A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
Частота перехода：200MHz
Частота - Переход：200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
Прямоходящий ток коллектора：6A
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 4985

1+： $1.05822
10+： $0.99832
100+： $0.94181
500+： $0.88850
1000+： $0.83821

Итого $1.05822