(0)
Изображение служит лишь для справки
2SA1162-GR,LXHF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Date Sheet
Lagernummer 11969
- 1+： $0.21978
- 10+： $0.20734
- 100+： $0.19561
- 500+： $0.18453
- 1000+： $0.17409
Zwischensummenbetrag $0.21978
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства：S-Mini
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：150 mA
- Квалификация：AEC-Q200
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：150 mW
- Полярность транзистора：PNP
- Максимальная рабочая температура：+ 125 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：70 at - 2 mA, - 6 V
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：80 MHz
- Партийные обозначения：2SA1162-GR,LXHF(B
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：400 at - 2 mA, - 6 V
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：125°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Мощность - Макс：200 mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA, 6V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 10mA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота - Переход：80MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Прямоходящий ток коллектора：150 mA
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 11969
- 1+： $0.21978
- 10+： $0.20734
- 100+： $0.19561
- 500+： $0.18453
- 1000+： $0.17409
Итого $0.21978
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
