SP8M31HZGTB

Name: Rohm Semiconductor SP8M31HZGTB
Brand: Rohm Semiconductor
Rating: 4.6 (19 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
60V DUAL NCH+PCH AUTOMOTIVE POWE
Date Sheet

Lagernummer 1367

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Поставщик упаковки устройства：8-SOP
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A (Ta)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：12 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：2 W
Полярность транзистора：N-Channel, P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：7 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：65 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：40 ns
Id - Непрерывный ток разряда：4.5 A
Серия：-
Рабочая температура：150°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Dual
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：2W (Ta)
Тип ТРВ：N and P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Время подъема：18 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel, 1 P-Channel
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 1367

Итого $0.00000