(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM70TLM10C3AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM70TLM10C3AG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
Date Sheet
Lagernummer 2494
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：Module
- Mfr：Microchip Technology
- ：Cut Tape (CT)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：241A (Tc)
- Пакетная партия производителя：1
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Мощность - Макс：690W (Tc)
- Тип ТРВ：4 N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.5mOhm @ 80A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 8mA (Typ)
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9000pF @ 700V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：430nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：700V
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2494
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
