(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SP8M3HZGTB
Изображение служит лишь для справки
SP8M3HZGTB
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 30V NCH+PCH POWER MOSFET. SP8M3H
Date Sheet
Lagernummer 162
- 1+： $0.40916
- 10+： $0.38600
- 100+： $0.36415
- 500+： $0.34354
- 1000+： $0.32409
Zwischensummenbetrag $0.40916
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A (Ta), 4.5A (Ta)
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：SOP
- Режим канала：Enhancement
- MSL：-
- Квалификация：AEC-Q101
- Полярность транзистора：N and P Channel
- Прямоходящий ток вывода Id：5A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：2 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Зарядная характеристика ворот：3.9 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：51 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：5 A, 4.5 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Технология：Si
- Число контактов：8
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：2W (Ta)
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：230pF @ 10V, 850pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Канальный тип：N, P
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 162
- 1+： $0.40916
- 10+： $0.38600
- 100+： $0.36415
- 500+： $0.34354
- 1000+： $0.32409
Итого $0.40916
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
