TSM16ND50CI C0G

Name: Taiwan Semiconductor Corporation TSM16ND50CI C0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
Rating: 4.6 (6 reviews)

Taiwan Semiconductor Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
MOSFET N-CH 500V 16A ITO220
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Поставщик упаковки устройства：ITO-220
Mfr：Taiwan Semiconductor Corporation
：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：16A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：59.5W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
Время типичного задержки включения：17 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：59.5 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.211644 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：4000
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：TSM16ND50CI
Производитель：Taiwan Semiconductor
Бренд：Taiwan Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：53 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：350 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：40 ns
Id - Непрерывный ток разряда：16 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：TSM16ND50CI
Пакетирование：Tube
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：350mOhm @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2551 pF @ 50 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：53 nC @ 10 V
Время подъема：27 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000