(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
Изображение служит лишь для справки
RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- MP-25LZU
Date Sheet
Lagernummer 655
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Поставщик упаковки устройства：TO-263-7
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：250A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W (Ta), 348W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：50 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.8 V
- Распад мощности：348 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：10 V
- Минимальная температура работы：-
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：190 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.4 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：125 A
- Серия：-
- Рабочая температура：175°C
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.4mOhm @ 125A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.8V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9500 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：190 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 655
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
