(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS84AKQBZ
Изображение служит лишь для справки
BSS84AKQBZ
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-XDFN Exposed Pad
- BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Date Sheet
Lagernummer 245
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
- Корпус / Кейс：3-XDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：DFN1110D-3
- Mfr：Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：270mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：420mW (Ta), 4.2W (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id：270
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：AEC-Q101
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：50 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.1 V
- Распад мощности：960 mW
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 12 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：400 pC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7.5 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда：270 mA
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：960
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5Ohm @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：23.2 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.6 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：50 V
- Угол настройки (макс.)：+12V, -20V
- Канальный тип：P Channel
- Характеристика ТРП：-
Со склада 245
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
