(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6520ENXC7G
Изображение служит лишь для справки
R6520ENXC7G
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Date Sheet
Lagernummer 664
- 1+： $4.21958
- 10+： $3.98074
- 100+： $3.75541
- 500+： $3.54284
- 1000+： $3.34230
Zwischensummenbetrag $4.21958
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства：TO-220FM
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：68W (Tc)
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：20A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Время типичного задержки включения：30 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：68 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V, - 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：61 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：205 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：155 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：20 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：68W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：205mOhm @ 9.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 630μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1400 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：61 nC @ 10 V
- Время подъема：50 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：Power MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 664
- 1+： $4.21958
- 10+： $3.98074
- 100+： $3.75541
- 500+： $3.54284
- 1000+： $3.34230
Итого $4.21958
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
