(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6009ENXC7G
Изображение служит лишь для справки
R6009ENXC7G
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Date Sheet
Lagernummer 3328
- 1+： $2.40913
- 10+： $2.27276
- 100+： $2.14412
- 500+： $2.02275
- 1000+： $1.90826
Zwischensummenbetrag $2.40913
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства：TO-220FM
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：48W (Tc)
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：9A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Время типичного задержки включения：25 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：48 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 155 C
- Усв：- 20 V, + 20 V, - 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Минимальная прямая транконductанс：2.3 S
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：23 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：535 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：75 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：9 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：48W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：535mOhm @ 2.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：430 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23 nC @ 10 V
- Время подъема：35 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：Power MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3328
- 1+： $2.40913
- 10+： $2.27276
- 100+： $2.14412
- 500+： $2.02275
- 1000+： $1.90826
Итого $2.40913
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
