(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPT60R125CFD7XTMA1
Изображение служит лишь для справки
IPT60R125CFD7XTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSFN
- HIGH POWER_NEW
Date Sheet
Lagernummer 1619
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerSFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-HSOF-8-1
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：127W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：127 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.027197 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：IPT60R125CFD7 SP005346348
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：8 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：125 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：21 A
- Основной номер продукта：IPT60R125
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125mOhm @ 6.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 340μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1330 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：31 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 1619
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
