IPB80P03P405ATMA2

Name: Infineon Technologies IPB80P03P405ATMA2
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (6 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Date Sheet

Lagernummer 935

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-3-2
Основной номер продукта：IPB80P
Максимальная мощность рассеяния：137W (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A (Tc)
Состояние продукта：Last Time Buy
Mfr：Infineon Technologies
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：IPB80P03P4-05 SP002325732
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：100 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.1 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：70 ns
Id - Непрерывный ток разряда：80 A
Вес единицы：0.139332 oz
Усв：- 20 V, + 20 V
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Полярность транзистора：P-Channel
Распад мощности：137 W
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
Время типичного задержки включения：35 ns
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.7mOhm @ 80A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 253μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10300 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：130 nC @ 10 V
Время подъема：10 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 935

Итого $0.00000