(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Изображение служит лишь для справки
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD
Date Sheet
Lagernummer 906
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：AG-HYBRIDD-2
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Tray
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：400A
- Прямоходящий ток вывода Id：400
- Пакетная партия производителя：6
- Партийные обозначения：FS03MR12A6MA1LB SP002725554
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Tray
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：SiC
- Распад мощности：20
- Мощность - Макс：20mW
- Тип ТРВ：6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.7mOhm @ 400A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.55V @ 240mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：42500pF @ 600V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1320nC @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип：Hexa N
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 906
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
