(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IQE008N03LM5CGATMA1
Изображение служит лишь для справки
IQE008N03LM5CGATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Date Sheet
Lagernummer 474
- 1+： $0.63213
- 10+： $0.59634
- 100+： $0.56259
- 500+： $0.53074
- 1000+： $0.50070
Zwischensummenbetrag $0.63213
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-TTFN-9-1
- Максимальная мощность рассеяния：2.1W (Ta), 89W (Tc)
- Основной номер продукта：IQE008N
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：27A (Ta), 253A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：PQFN 3 x 3
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：253A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Распад мощности：89 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 16 V, + 16 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：5000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：IQE008N03LM5CG SP005401196
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：64 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：850 uOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：253 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：8
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：89W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：0.85mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5700 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：64 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±16V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Продукт：MOSFET
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 474
- 1+： $0.63213
- 10+： $0.59634
- 100+： $0.56259
- 500+： $0.53074
- 1000+： $0.50070
Итого $0.63213
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
