(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB040N08NF2SATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPB040N08NF2SATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3
- TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Date Sheet
Lagernummer 804
- 1+： $2.64716
- 10+： $2.49732
- 100+： $2.35596
- 500+： $2.22260
- 1000+： $2.09680
Zwischensummenbetrag $2.64716
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-263-3
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Основной номер продукта：IPB040N
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
- Распад мощности：150 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：54 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：107 A
- Серия：*
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
Со склада 804
- 1+： $2.64716
- 10+： $2.49732
- 100+： $2.35596
- 500+： $2.22260
- 1000+： $2.09680
Итого $2.64716
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
