(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IMBG65R048M1HXTMA1
Изображение служит лишь для справки
IMBG65R048M1HXTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Date Sheet
Lagernummer 1298
- 1+： $7.98953
- 10+： $7.53729
- 100+： $7.11065
- 500+： $6.70816
- 1000+： $6.32846
Zwischensummenbetrag $7.98953
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：TO-263-7
- MSL：-
- Прямоходящий ток вывода Id：45A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5.7 V
- Распад мощности：183 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 5 V, + 23 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：IMBG65R048M1H SP005539172
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：33 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：64 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：45 A
- Серия：*
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：SiC
- Число контактов：7
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：183W
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Продукт：MOSFET
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 1298
- 1+： $7.98953
- 10+： $7.53729
- 100+： $7.11065
- 500+： $6.70816
- 1000+： $6.32846
Итого $7.98953
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
