(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXFH54N65X3
Изображение служит лишь для справки
IXFH54N65X3
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET 54A 650V X3 TO247
Date Sheet
Lagernummer 572
- 1+： $8.78539
- 10+： $8.28810
- 100+： $7.81896
- 500+： $7.37638
- 1000+： $6.95885
Zwischensummenbetrag $8.78539
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 (IXFH)
- Mfr：IXYS
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：54A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：625W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5.2 V
- Распад мощности：625 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：30
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：IXYS
- Бренд：IXYS
- Зарядная характеристика ворот：49 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：59 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：54 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：59mOhm @ 27A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.2V @ 4mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3360 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：49 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Продукт：MOSFET
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 572
- 1+： $8.78539
- 10+： $8.28810
- 100+： $7.81896
- 500+： $7.37638
- 1000+： $6.95885
Итого $8.78539
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
