(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IAUA180N08S5N026AUMA1
Изображение служит лишь для справки
IAUA180N08S5N026AUMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 5-PowerSFN
- MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Date Sheet
Lagernummer 1221
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：5-PowerSFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-HSOF-5-4
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：180A (Tj)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：179W (Tc)
- Id - Непрерывный ток разряда：180 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.6 mOhms
- Зарядная характеристика ворот：67 nC
- Режим канала：Enhancement
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Полярность транзистора：N-Channel
- Распад мощности：179 W
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.8 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.6mOhm @ 90A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.8V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5980 pF @ 40 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：87 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 1221
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
