(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NP29N04QUK-E1-AY
Изображение служит лишь для справки
NP29N04QUK-E1-AY
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerLDFN
- ABU / MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 2039
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerLDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-HSON (5x5.4)
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：44 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：19 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：10.1 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：30 A
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：175°C
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
- Мощность - Макс：1W (Ta), 44W (Tc)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.1mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1500pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：29nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 2039
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
