(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SQJB00EP-T1_BE3
Изображение служит лишь для справки
SQJB00EP-T1_BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- -
- DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Date Sheet
Lagernummer 1838
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Время типичного задержки включения：13 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
- Распад мощности：48 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.006596 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：SQJB00EP-T1_GE3
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот：20 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：13 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：23 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：30 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：48W (Tc)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1700pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：35nC @ 10V
- Время подъема：3 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：2 N-Channel
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 1838
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
