(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI6562CDQ-T1-BE3
Изображение служит лишь для справки
SI6562CDQ-T1-BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
Date Sheet
Lagernummer 3556
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-TSSOP
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：600 mV
- Распад мощности：1.6 W, 1.7 W
- Полярность транзистора：N-Channel, P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 12 V, + 12 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：15 nC, 34 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2 Ohms, 6 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда：6.7 A, 6.1 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Технология：Si
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23nC @ 10V, 51nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 3556
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
