(0)
Изображение служит лишь для справки
DSS3515MQ-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 3-UFDFN
- SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006
Date Sheet
Lagernummer 5849
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-UFDFN
- Поставщик упаковки устройства：X1-DFN1006-3
- Mfr：Diodes Incorporated
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：500 mA
- Полярность транзистора：NPN
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：AEC-Q101
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Распад мощности：400 mW
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：200 at - 10 mA, - 2 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：340 MHz
- Производитель：Diodes Incorporated
- Бренд：Diodes Incorporated
- Максимальный постоянный ток сбора：1 A
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：15 V
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：1.5
- Мощность - Макс：400 mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 10mA, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：15 V
- Частота перехода：300
- Частота - Переход：340MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：15 V
- Прямоходящий ток коллектора：100
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 5849
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
