(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM170TAM15CTPAG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM170TAM15CTPAG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
Date Sheet
Lagernummer 729
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：-
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：179A (Tc)
- Основной номер продукта：MSCSM170
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.7 kV
- Время типичного задержки включения：24 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.8 V
- Распад мощности：843 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 10 V, 23 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：11.7 mOhms
- Время задержки отключения типичного：35 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：179 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：Si
- Мощность - Макс：843W (Tc)
- Тип ТРВ：6 N-Channel (Phase Leg)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：15mOhm @ 90A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.2V @ 7.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9900pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：534nC @ 20V
- Время подъема：17 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1700V (1.7kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Вф - Напряжение прямого тока：3.7 V
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 729
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
