(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NXH020F120MNF1PTG
Изображение служит лишь для справки
NXH020F120MNF1PTG
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20M
Date Sheet
Lagernummer 2434
- 1+： $143.15568
- 10+： $135.05253
- 100+： $127.40805
- 500+： $120.19627
- 1000+： $113.39271
Zwischensummenbetrag $143.15568
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：22-PIM (33.8x42.5)
- Пакет：Tray
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：51A (Tc)
- Mfr：onsemi
- Прямоходящий ток вывода Id：51A
- Формат упаковки：F1-4PACK Press-fit Pins with pre-applied thermal interface material (TIM) (Pb-Free and Halide-Free)
- Пакетная партия производителя：28
- Производитель：onsemi
- Бренд：onsemi
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Распад мощности：119W
- Мощность - Макс：119W (Tj)
- Тип ТРВ：4 N-Channel (Half Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30mOhm @ 50A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.3V @ 20mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2420pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：213.5nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип：Four N Channel
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2434
- 1+： $143.15568
- 10+： $135.05253
- 100+： $127.40805
- 500+： $120.19627
- 1000+： $113.39271
Итого $143.15568
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
