(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RSS060P05HZGTB
Изображение служит лишь для справки
RSS060P05HZGTB
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- PCH -45V -6A POWER MOSFET: RSS06
Date Sheet
Lagernummer 4820
- 1+： $2.29686
- 10+： $2.16685
- 100+： $2.04420
- 500+： $1.92849
- 1000+： $1.81933
Zwischensummenbetrag $2.29686
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.4W (Ta)
- Непрерывный ток стока：6(A)
- Дrain-Source On-Volt：45(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：SOP
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Surface Mount
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：AEC-Q101
- Прямоходящий ток вывода Id：6A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：45 V
- Время типичного задержки включения：25 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：2 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：23 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：36 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：100 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：6 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Тип：Power MOSFET
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：8
- Направленность：P
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：2(W)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：36mOhm @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2700 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：32.2 nC @ 5 V
- Время подъема：28 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：45 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：P Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 4820
- 1+： $2.29686
- 10+： $2.16685
- 100+： $2.04420
- 500+： $1.92849
- 1000+： $1.81933
Итого $2.29686
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
