SIDR500EP-T1-RE3

Name: Vishay Siliconix SIDR500EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (6 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 4958

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：94A (Ta), 421A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：7.5W (Ta), 150W (Tc)
Формат упаковки：PowerPak SO-8DC
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：421A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Время типичного задержки включения：47 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
Распад мощности：150 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 12 V, + 16 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：210 S
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay Semiconductors
Зарядная характеристика ворот：54.3 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：470 uOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：50 ns
Id - Непрерывный ток разряда：421 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：150W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：0.47mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8960 pF @ 15 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：180 nC @ 10 V
Время подъема：102 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：+16V, -12V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 4958

Итого $0.00000