(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RW4E045AJTCL1
Изображение служит лишь для справки
RW4E045AJTCL1
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-PowerUFDFN
- NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Date Sheet
Lagernummer 6024
- 1+： $0.86336
- 10+： $0.81449
- 100+： $0.76839
- 500+： $0.72489
- 1000+： $0.68386
Zwischensummenbetrag $0.86336
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-PowerUFDFN
- Поставщик упаковки устройства：DFN1616-7T
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：1.5W (Ta)
- Непрерывный ток стока：4.5(A)
- Дrain-Source On-Volt：30(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±12(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Surface Mount
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：7.2 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.5 V
- Распад мощности：1.5 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 12 V, + 12 V
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：4 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：40 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：13 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：4.5 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tape and Reel
- Тип：Power MOSFET
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：7
- Направленность：N
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：1.5(W)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：40mOhm @ 4.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：450 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4 nC @ 4.5 V
- Время подъема：5.8 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 6024
- 1+： $0.86336
- 10+： $0.81449
- 100+： $0.76839
- 500+： $0.72489
- 1000+： $0.68386
Итого $0.86336
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
