Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IMW120R040M1HXKSA1
Изображение служит лишь для справки
IMW120R040M1HXKSA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- SIC DISCRETE
- Date Sheet
Lagernummer 357
- 1+: $10.32773
- 10+: $9.74314
- 100+: $9.19164
- 500+: $8.67136
- 1000+: $8.18053
Zwischensummenbetrag $10.32773
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:PG-TO247-3
- Максимальная мощность рассеяния:227W (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):15V, 18V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:55A (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакет:Tube
- Mfr:Infineon Technologies
- Прямоходящий ток вывода Id:55A
- Число элементов на чипе:1
- Формат упаковки:TO-247
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.2 kV
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4.2 V
- Распад мощности:227 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 10 V, + 23 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:240
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:IMW120R040M1H SP005424429
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот:39 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:39 mOhms
- РХОС:Details
- Id - Непрерывный ток разряда:55 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Число контактов:3
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:227W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:54.4mOhm @ 19.3A, 18V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5.2V @ 10mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1620 nF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:39 nC @ 18 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200 V
- Угол настройки (макс.):+20V, -5V
- Тип продукта:MOSFET
- Канальный тип:N Channel
- Характеристика ТРП:-
- Продукт:MOSFET
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 357
- 1+: $10.32773
- 10+: $9.74314
- 100+: $9.19164
- 500+: $8.67136
- 1000+: $8.18053
Итого $10.32773