Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMN15ENEX
Изображение служит лишь для справки
PMN15ENEX
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-74, SOT-457
- PMN15ENE/SOT457/SC-74
- Date Sheet
Lagernummer 3140
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-74, SOT-457
- Поставщик упаковки устройства:6-TSOP
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6.4A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:667mW (Ta), 7.5W (Tc)
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:6.4A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Время типичного задержки включения:4 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:1.7 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:934664406115
- Производитель:Nexperia
- Бренд:Nexperia
- Зарядная характеристика ворот:9.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:24 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:15 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:6.4 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория:MOSFETs
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:667mW
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:24mOhm @ 6.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:440 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:14 nC @ 10 V
- Время подъема:18 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Канальный тип:N Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 3140
Итого $0.00000