(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHD14N60ET1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHD14N60ET1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- N-CHANNEL 600V
Date Sheet
Lagernummer 1321
- 1+： $0.86423
- 10+： $0.81531
- 100+： $0.76916
- 500+： $0.72562
- 1000+： $0.68455
Zwischensummenbetrag $0.86423
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：D-Pak
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：147W (Tc)
- Пакетная партия производителя：2000
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- РХОС：Details
- Серия：E
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：309mOhm @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1205 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：64 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 1321
- 1+： $0.86423
- 10+： $0.81531
- 100+： $0.76916
- 500+： $0.72562
- 1000+： $0.68455
Итого $0.86423
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
