SI2318CDS-T1-BE3

Name: Vishay Siliconix SI2318CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.6 (15 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 144

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик упаковки устройства：SOT-23-3 (TO-236)
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：7 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：2.1 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.000282 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SI2318CDS-T1-GE3
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：2.9 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：42 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：14 ns
Id - Непрерывный ток разряда：5.6 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：42mOhm @ 4.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：340 pF @ 20 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9 nC @ 10 V
Время подъема：20 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 144

Итого $0.00000