(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB30N60ET1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB30N60ET1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- N-CHANNEL 600V
Date Sheet
Lagernummer 933
- 1+： $4.88031
- 10+： $4.60406
- 100+： $4.34346
- 500+： $4.09760
- 1000+： $3.86566
Zwischensummenbetrag $4.88031
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：D2PAK (TO-263)
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：29A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：250W (Tc)
- Пакетная партия производителя：800
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- РХОС：Details
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2600 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：130 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 933
- 1+： $4.88031
- 10+： $4.60406
- 100+： $4.34346
- 500+： $4.09760
- 1000+： $3.86566
Итого $4.88031
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
