(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDS6673BZ-G
Изображение служит лишь для справки
FDS6673BZ-G
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- -30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
Date Sheet
Lagernummer 101263
- 1+： $0.57002
- 10+： $0.53776
- 100+： $0.50732
- 500+： $0.47860
- 1000+： $0.45151
Zwischensummenbetrag $0.57002
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：8-SOIC
- Максимальная мощность рассеяния：1W (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14.5A (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Mfr：onsemi
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.8mOhm @ 14.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4700 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：65 nC @ 5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 101263
- 1+： $0.57002
- 10+： $0.53776
- 100+： $0.50732
- 500+： $0.47860
- 1000+： $0.45151
Итого $0.57002
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
