SIHA22N60AE-GE3

Name: Vishay Siliconix SIHA22N60AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Price: 3.3212205 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (13 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3 Full Pack
N-CHANNEL 600V
Date Sheet

Lagernummer 826

1+： $3.32122
10+： $3.13323
100+： $2.95587
500+： $2.78856
1000+： $2.63072

Zwischensummenbetrag $3.32122

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Поставщик упаковки устройства：TO-220 Full Pack
Mfr：Vishay Siliconix
Пакет：Cut Tape (CT)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：33W (Tc)
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：20A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：33 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1000
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：48 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：180 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：20 A
Серия：E
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：33W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：180mOhm @ 11A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1451 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：96 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 826

1+： $3.32122
10+： $3.13323
100+： $2.95587
500+： $2.78856
1000+： $2.63072

Итого $3.32122