(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHA24N65EF-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHA24N65EF-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- N-CHANNEL 650V
Date Sheet
Lagernummer 1458
- 1+： $4.78604
- 10+： $4.51513
- 100+： $4.25956
- 500+： $4.01845
- 1000+： $3.79099
Zwischensummenbetrag $4.78604
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства：TO-220 Full Pack
- Mfr：Vishay Siliconix
- Пакет：Cut Tape (CT)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：39W (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id：10
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Пакетная партия производителя：1000
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- РХОС：Details
- Серия：E
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Распад мощности：39
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：156mOhm @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2774 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：122 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 1458
- 1+： $4.78604
- 10+： $4.51513
- 100+： $4.25956
- 500+： $4.01845
- 1000+： $3.79099
Итого $4.78604
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
