(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPT039N15N5ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPT039N15N5ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSFN
- OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 18768240
- 1+： $3.80057
- 10+： $3.58545
- 100+： $3.38250
- 500+： $3.19103
- 1000+： $3.01041
Zwischensummenbetrag $3.80057
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerSFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-HSOF-8
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A (Ta), 190A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：8V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.8W (Ta), 319W (Tc)
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：HSOF-8
- MSL：-
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：190A
- Id - Непрерывный ток разряда：190 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.3 mOhms
- Зарядная характеристика ворот：78 nC
- Режим канала：Enhancement
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Полярность транзистора：N-Channel
- Распад мощности：319 W
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.6 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：150 V
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Число контактов：8
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：319W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.9mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.6V @ 257μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7700 pF @ 75 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：98 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 18768240
- 1+： $3.80057
- 10+： $3.58545
- 100+： $3.38250
- 500+： $3.19103
- 1000+： $3.01041
Итого $3.80057
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
