Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHA6N65E-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHA6N65E-GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- N-CHANNEL 650V
- Date Sheet
Lagernummer 1638
- 1+: $2.01594
- 10+: $1.90183
- 100+: $1.79418
- 500+: $1.69262
- 1000+: $1.59681
Zwischensummenbetrag $2.01594
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства:TO-220 Full Pack
- Mfr:Vishay Siliconix
- Пакет:Cut Tape (CT)
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:31W (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id:7
- Пакетная партия производителя:1000
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- РХОС:Details
- Серия:E
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:Reel
- Подкатегория:MOSFETs
- Распад мощности:31
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:600mOhm @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1640 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:48 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):650 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 1638
- 1+: $2.01594
- 10+: $1.90183
- 100+: $1.79418
- 500+: $1.69262
- 1000+: $1.59681
Итого $2.01594