(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN3032LFDBWQ-7
Изображение служит лишь для справки
DMN3032LFDBWQ-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Date Sheet
Lagernummer 39
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：U-DFN2020-6 (SWP) Type B
- Mfr：Diodes Incorporated
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.5A (Ta)
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：AEC-Q101
- Полярность транзистора：N Channel
- Прямоходящий ток вывода Id：5.5A
- Пакетная партия производителя：3000
- Производитель：Diodes Incorporated
- Бренд：Diodes Incorporated
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Мощность - Макс：820mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30mOhm @ 5.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：500pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10.6nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 39
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
