(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM170AM039CT6AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM170AM039CT6AG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
Date Sheet
Lagernummer 751
- 1+： $938.40412
- 10+： $885.28691
- 100+： $835.17633
- 500+： $787.90220
- 1000+： $743.30396
Zwischensummenbetrag $938.40412
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：-
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：523A (Tc)
- Основной номер продукта：MSCSM170
- Прямоходящий ток вывода Id：523
- Пакетная партия производителя：1
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology / Atmel
- РХОС：Details
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Распад мощности：2.4
- Мощность - Макс：2.4kW (Tc)
- Тип ТРВ：2 N Channel (Phase Leg)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5mOhm @ 270A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.3V @ 22.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：29700pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1602nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1700V (1.7kV)
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 751
- 1+： $938.40412
- 10+： $885.28691
- 100+： $835.17633
- 500+： $787.90220
- 1000+： $743.30396
Итого $938.40412
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
