Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN66D0LDWQ-7
Изображение служит лишь для справки
DMN66D0LDWQ-7
- Diodes Incorporated
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
- Date Sheet
Lagernummer 2599
- 1+: $0.09687
- 10+: $0.09138
- 100+: $0.08621
- 500+: $0.08133
- 1000+: $0.07673
Zwischensummenbetrag $0.09687
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поставщик упаковки устройства:SOT-363
- Mfr:Diodes Incorporated
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:115mA (Tc)
- Формат упаковки:SOT-363
- Режим канала:Enhancement
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Распад мощности:400 mW
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Diodes Incorporated
- Бренд:Diodes Incorporated
- Зарядная характеристика ворот:900 pC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:5 Ohms
- РХОС:Details
- Id - Непрерывный ток разряда:217 mA
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Число контактов:6
- Каналов количество:2 Channel
- Мощность - Макс:400mW (Ta)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:6Ohm @ 115mA, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:29.3pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.9nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Тип продукта:MOSFET
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:Standard
- Продукт:MOSFET
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 2599
- 1+: $0.09687
- 10+: $0.09138
- 100+: $0.08621
- 500+: $0.08133
- 1000+: $0.07673
Итого $0.09687