Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 881

  • 1+: $1318.70829
  • 10+: $1244.06443
  • 100+: $1173.64568
  • 500+: $1107.21291
  • 1000+: $1044.54048

Zwischensummenbetrag $1318.70829

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Корпус / Кейс:Module
  • Поставщик упаковки устройства:-
  • Mfr:Microchip Technology
  • Пакет:Bulk
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:676A (Tc)
  • Основной номер продукта:MSCSM170
  • Прямоходящий ток вывода Id:676
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.7 kV
  • Время типичного задержки включения:65 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.8 V
  • Распад мощности:3000 W
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Усв:- 10 V, 23 V
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:2.9 mOhms
  • Время задержки отключения типичного:148 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:676 A
  • Серия:-
  • Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
  • Технология:Si
  • Распад мощности:3
  • Мощность - Макс:3kW (Tc)
  • Тип ТРВ:2 N Channel (Phase Leg)
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.75mOhm @ 360A, 20V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:3.3V @ 30mA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:39600pF @ 1000V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2136nC @ 20V
  • Время подъема:52 ns
  • Напряжение стока-исток (Vdss):1700V (1.7kV)
  • Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
  • Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
  • Продукт:Power MOSFET Modules
  • Вф - Напряжение прямого тока:1.5 V
  • Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules

Со склада 881

  • 1+: $1318.70829
  • 10+: $1244.06443
  • 100+: $1173.64568
  • 500+: $1107.21291
  • 1000+: $1044.54048

Итого $1318.70829