Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SJ197-T1-AZ
Изображение служит лишь для справки
2SJ197-T1-AZ
- Renesas
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-243AA
- 2SJ197-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET
- Date Sheet
Lagernummer 418
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-243AA
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:SOT-89
- Mfr:Renesas
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Obsolete
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.5A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:2W (Ta)
- Код упаковки производителя:PLZZ0004CC-A3
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:2SJ197-T1-AZ
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.75
- Код упаковки компонента:POMM
- Серия:-
- Рабочая температура:150°C
- Код ECCN:EAR99
- Подкатегория:Other Transistors
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Название бренда:Renesas
- Конфигурация:Single
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1Ohm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:220 pF @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):1.5 A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2 W
- Характеристика ТРП:-
Со склада 418
Итого $0.00000