DMTH8008LFGQ-7

Name: Diodes Incorporated DMTH8008LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.6 (12 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Поставщик упаковки устройства：PowerDI3333-8
Mfr：Diodes Incorporated
Пакет：Tape & Reel (TR)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17A (Ta), 70A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：1.2W (Ta), 50W (Tc)
Прямоходящий ток вывода Id：70
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：PowerDI3333-8
Режим канала：Enhancement
MSL：-
Квалификация：AEC-Q101
Пакетная партия производителя：2000
Производитель：Diodes Incorporated
Бренд：Diodes Incorporated
Серия：Automotive, AEC-Q101
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Распад мощности：50
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.9mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2254 pF @ 40 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37.7 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000