TSM056NH04LCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04LCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
Rating: 4.9 (17 reviews)

Taiwan Semiconductor Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Date Sheet

Lagernummer 5042

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поставщик упаковки устройства：8-PDFNU (5x6)
Mfr：Taiwan Semiconductor Corporation
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A (Ta), 54A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：78.9W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：8.2 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
Распад мощности：78.9 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 16 V, + 16 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：117.5 S
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：TSM056NH04LCR
Производитель：Taiwan Semiconductor
Бренд：Taiwan Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：14.2 nC
Торговое наименование：PerFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5.6 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：24.6 ns
Id - Непрерывный ток разряда：54 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.6mOhm @ 27A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1940 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30.4 nC @ 10 V
Время подъема：54.3 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±16V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 5042

Итого $0.00000