Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM170TAM23CTPAG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM170TAM23CTPAG
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
- Date Sheet
Lagernummer 520
- 1+: $665.80832
- 10+: $628.12106
- 100+: $592.56704
- 500+: $559.02551
- 1000+: $527.38255
Zwischensummenbetrag $665.80832
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поставщик упаковки устройства:-
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:122A (Tc)
- Основной номер продукта:MSCSM170
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.7 kV
- Время типичного задержки включения:24 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.8 V
- Распад мощности:588 W
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 10 V, 23 V
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:17.5 mOhms
- Время задержки отключения типичного:35 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:122 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Технология:Si
- Мощность - Макс:588W (Tc)
- Тип ТРВ:6 N-Channel (Phase Leg)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:22.5mOhm @ 60A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.2V @ 5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6600pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:356nC @ 20V
- Время подъема:17 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):1700V (1.7kV)
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
- Продукт:Power MOSFET Modules
- Вф - Напряжение прямого тока:1.5 V
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
Со склада 520
- 1+: $665.80832
- 10+: $628.12106
- 100+: $592.56704
- 500+: $559.02551
- 1000+: $527.38255
Итого $665.80832