Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHK185N60E-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHK185N60E-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerBSFN
- E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
- Date Sheet
Lagernummer 2073
- 1+: $4.30103
- 10+: $4.05758
- 100+: $3.82791
- 500+: $3.61123
- 1000+: $3.40682
Zwischensummenbetrag $4.30103
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerBSFN
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:19A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:114W (Tc)
- Основной номер продукта:SIHK185
- Число элементов на чипе:1
- Формат упаковки:PowerPAK 10 x 12
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:19A
- Серия:E
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Число контактов:8
- Распад мощности:114W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:185mOhm @ 9.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1085 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:33 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
Со склада 2073
- 1+: $4.30103
- 10+: $4.05758
- 100+: $3.82791
- 500+: $3.61123
- 1000+: $3.40682
Итого $4.30103